廣東省人民政府辦公廳印發《廣東省加快推動光芯片產業創新發展行動方案（2024-20230年）》（附件見下方鏈接）。

其中提出，力爭到 2030 年取得 10 項以上光芯片領域關鍵核心技術突破，打造 10 個以上“拳頭”產品，培育 10 家以上具有國際競爭力的一流領軍企業，建設 10 個左右國家和省級創新平臺，培育形成新的千億級產業集群，建設成為具有全球影響力的光芯片產業創新高地。

方案提到，加快開展光芯片關鍵材料研發攻關。大力支持硅光材料、化合物半導體、薄膜鈮酸鋰、氧化鎵薄膜、電光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光學傳感材料、電光拓撲相變材料、光刻膠、石英晶體等光芯片關鍵材料研發制造。

推進光芯片關鍵裝備研發制造。大力推動刻蝕機、鍵合機、外延生長設備及光矢量參數網絡測試儀等光芯片關鍵裝備研發和國產化替代。落實工業設備更新改造政策，加快光芯片關鍵設備更新升級。

支持光芯片相關部件和工藝的研發及優化。大力支持收發模塊、調制器、可重構光神經網絡推理器、PLC分路器、AWG光柵等光器件及光模塊核心部件的研發和產業化。支持硅光集成、異質集成、磊晶生長和外延工藝、制造工藝等光芯片相關制造工藝研發和持續優化。

方案還提到，省重點領域研發計劃支持光芯片技術攻關。加大對高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰材料、磷化銦襯底材料、有機半導體材料、硅光集成技術、柔性集成技術、磊晶生長和外延工藝、核心半導體設備等方向的研發投入力度，著力解決產業鏈供應鏈的“卡點”“堵點”問題。

附件：《廣東省加快推動光芯片產業創新發展行動方案（2024-20230年）》